用 途 | 同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体、半导体光刻. |
| 产品尺寸 | |
| 表面处理 | SP单面抛光、DSP双面抛光、Lapping双面研磨、SiO2/EPI/SOI |
| 生长方式 | CZ直拉、FZ区熔 |
| 厚 度 | 100-2000um |
| 掺杂类型 | N型，P型 |
| 晶 向 | 100或110，111 |
| 电 阻 率 | 0-1000欧 |
主要性能参数 | |||
晶体结构 | 面心立方 | ||
熔点（℃） | 1420 | ||
密度 | 2.4（g/cm3） | ||
掺杂物质 | 不掺杂 | 掺B | 掺P |
类 型 | I | P | N |
电 阻 率 | Ø 1000Ωcm | 10-3~40Ωcm | 10-3~40Ωcm |
E P D | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 |
氧含量（∕cm3） | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 |
碳含量（∕cm3） | ≤5×1016 | ≤5×1016 | ≤5×1016 |
尺寸 | 10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm, Dia50.8mm,Dia76.2mm,Dia100mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片 | ||
厚度 | 0.5mm、1.0mm或定制 | ||
尺寸公差 | <±0.1mm | ||
厚度公差 | <±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm） | ||
抛光 | 单面或双面 | ||
晶面定向精度 | ±0.5° | ||
边缘定向精度 | 2°（特殊要求可达到1°以内） | ||
取向 | <100>、<110>、<111>等 | ||
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||
售前咨询专员
