以下是关于锑化镓基片（GaSb）的介绍：

基本性质

- 晶体结构：属于闪锌矿结构，立方晶系，晶格常数为0.60959nm。 

- 密度：为5.6137g/cm³，900K时约为5.6g/cm³。

- 热学特性：高温下受电子散射声子和光声子散射影响，热导率随温度升高而下降。

- 电学特性：未掺杂的单晶呈p型导电特性，制备n型单晶通常采用富Sb的多晶料，并以Te、Se与S等作为n型掺杂剂。

生长技术

- 液相外延（LPE）生长法：利用溶质在不同温度下的溶解度差异，通过降低饱和溶液温度使溶质析出沉积在衬底上形成晶体层，设备简单、成本低、适合大面积生长，能产生高纯度、低缺陷的晶体，用于红外探测器等制造。

- 分子束外延（MBE）生长法：在高真空条件下，利用分子或原子束直接沉积在衬底上逐层生长晶体，可实现原子级别的层厚控制和杂质掺杂，用于高性能红外探测器等研发制造。

- 化学气相沉积（CVD）技术：引入含目标材料元素的气体到反应室中，在加热的衬底表面诱发化学反应使目标材料沉积形成薄膜或晶体，适合大面积均匀生长，用于制备GaSb基太阳能电池等。

应用领域

- 红外探测：基于其能带结构，能高效吸收中红外波段的光并转换为电信号，具有高灵敏度和宽光谱响应的特点，可用于制作多种用途的红外探测器件及火箭和监视系统中的红外成像器件。

- 光电子集成电路：凭借优异的电子迁移率和有效质量特性，能够在电子和光信号之间进行高速、高效的转换，可支持高数据速率传输，还可与多种Ⅲ-Ⅴ族材料集成，实现复杂的光电功能。

- 太阳能电池：GaSb太阳能电池具有较高的量子效率和转换效率，尤其在低光照条件下性能优异，还可用于多结太阳能电池的设计，进一步提高整体转换效率。