晶体缺陷是指晶体中原子或离子排列不规则的区域，主要有点缺陷、线缺陷、面缺陷等，它们会从以下多个方面影响半导体的性能：

对电学性能的影响

- 载流子浓度：点缺陷中的杂质原子可作为施主或受主，如在硅中掺入磷会增加电子浓度，成为N型半导体；掺入硼会增加空穴浓度，成为P型半导体。此外，空位等缺陷也可能通过与杂质的相互作用间接影响载流子浓度。

- 载流子迁移率：晶体缺陷会破坏晶格的周期性势场，使载流子在运动过程中发生散射。如线缺陷位错周围的畸变区域会干扰载流子运动，降低迁移率，导致半导体的电导率下降。

对光学性能的影响

- 光吸收：缺陷可在半导体禁带中引入新的能级，成为光吸收的中心。如一些过渡金属杂质缺陷能吸收特定波长的光，使半导体对光的吸收特性改变，影响其在光探测器等光电器件中的应用。

- 发光：某些缺陷可作为发光中心，如氮化镓中的一些缺陷能产生与本征发光不同的波长，形成缺陷发光。但缺陷也可能成为非辐射复合中心，使发光效率降低。

对热学性能的影响

- 热导率：晶体缺陷会干扰晶格振动的传播，点缺陷引起的晶格畸变、线缺陷位错和晶界等都会使声子散射增加，热导率降低，导致半导体在工作时热量难以散发，影响性能和稳定性。

- 热稳定性：缺陷的存在会降低半导体的热稳定性，在高温下，缺陷更容易发生迁移、聚集等变化，导致半导体的结构和性能发生改变。

对力学性能的影响

- 硬度：晶体缺陷会使半导体的硬度降低，如位错等缺陷可使晶体在受力时更容易发生滑移，降低材料抵抗变形的能力。

- 脆性：缺陷的存在可能会增加半导体的脆性，面缺陷如晶界处原子排列不规则，在受力时容易引发裂纹的产生和扩展，使半导体更容易发生断裂。