三氟化氮（NF₃）在半导体制造中有多种重要应用，具体如下：

刻蚀

- 在半导体制造的光刻工艺后，需要通过刻蚀将光刻胶上的图案转移到半导体晶圆上。NF₃作为一种强氧化性气体，能与硅等半导体材料发生化学反应，生成易挥发的产物从而被去除，以此实现精确的刻蚀，可用于刻蚀二氧化硅、氮化硅等薄膜，以形成晶体管的源极、漏极和栅极等结构。

- NF₃与其他气体混合使用时，能精确控制刻蚀的速率和选择性，确保在复杂的三维结构刻蚀中，只去除需要的部分，而保留其他关键区域不受影响。

清洗

- 在半导体制造的多个环节，如光刻、刻蚀、镀膜等之后，晶圆表面会残留光刻胶、金属杂质、有机物等污染物。NF₃等离子体产生的活性氟原子可以与这些污染物发生化学反应，将其转化为易挥发的氟化物，从而达到清洗的目的。

- 利用NF₃的等离子体清洗可以在不损伤晶圆表面的前提下，有效去除微米甚至纳米级的污染物，确保晶圆表面的洁净度，为后续工艺提供良好的基础。

成膜

- 在一些先进的半导体制造工艺中，需要在晶圆表面形成高质量的氮化硅薄膜，NF₃可作为氮源参与氮化硅薄膜的化学气相沉积（CVD）过程。在高温和等离子体等条件下，NF₃分解产生氮原子，与硅源气体反应生成氮化硅薄膜。

- 氮化硅薄膜具有良好的绝缘性、化学稳定性和机械性能，可用于作为半导体器件的钝化层、绝缘层或阻挡层，保护器件免受外界环境的影响，提高器件的可靠性和性能。

掺杂

- 在半导体制造中，为了改变半导体的电学性质，需要向特定区域引入杂质原子，即掺杂工艺。NF₃可以作为一种含氟的掺杂源，在离子注入或扩散工艺中，将氟原子引入到半导体材料中。

- 氟原子的引入可以改变半导体的能带结构和载流子浓度，从而调节半导体器件的电学性能，如提高晶体管的开关速度、降低电阻等。