粉末状呈暗蓝色，结晶状，为银白色脆金属。密度5.35克/厘米3。熔点937.4℃。沸点2830℃。化合价+2和+4。第一电离能7.899电子伏特。是一种稀有金属，重要的半导体材料。不溶于水、盐酸、稀苛性碱溶液。溶于王水、浓硝酸或硫酸、熔融的碱、过氧化碱、硝酸盐或碳酸盐。在空气中不被氧化。其细粉可在氯或溴中燃烧。
锗性质
具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。现代工业生产的锗，主要来自铜、铅、锌冶炼的副产品
| 化学式 | Ge |
| 分子量 | 72.61 |
| 纯度 | 6N |
| 外观 | 锭状多晶、单晶 |
| 用途 | 锗被广泛应用于电子工业、红外光学器件、光纤、医学、冶金、能源、太阳能电池等方面。 |
Ge Wafer Specification
| Type/Dopant 导电类型/掺杂元素 | N-Type/Si | P-Type/Zn |
| Dopant/掺杂元素 | As, Sb | Ga |
| Growth Method 长晶方式 | CZ | |
| Diameter 直径 | 2", 3", 4", 6" | |
| Orientation 晶向 | (100)±0.5° | |
| Thickness 厚度 (µm) | 175-500um±25um | |
| OF/IF 参考边 | US EJ | |
| Resistivity 电阻率 (ohm-cm) | 0.005-30 | 0.005-0.4 |
| Etch Pitch Density 位错密度(/cm2) | <300 | <300 |
| TTV 平整度 [P/P] (µm) | <15 | |
| TTV 平整度 [P/E] (µm) | <25 | |
| Warp 翘曲度 (µm) | <25 | |
| Surface Finished 表面加工 | P/P, P/E, E/E | |
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