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锗衬底晶片锗窗口材料

上架时间:2024-08-25
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产品详情

锗衬底晶片 

锗单晶片是重要的半导体衬底材料,有着良好的半导体性质,如电子迁移率、空穴迁移率等等。主要用于地面聚光光伏电站(CPV)、空间太阳能电池板以及超高亮度的LED衬底材料。

鑫科汇可提供低位错或零位错错衬底,规格包括2英寸、3英寸、4英寸和6英寸。亦可根据客户需求,定制非标厚度和晶向的Ge衬底。


单位                                  半导体型 规格
导电类型
n型p型
晶体生长方式
CZ/VGF
掺杂
SbGa
尺寸inch2",   3", 4" and 6"2",   3",4" and 6"
晶向*
(100)±0.5°(100)±0.5°
OF/IF
US,   EJ                            US.EJ
电阻率(室温)ohm.cm0.002-40                      0.002-0.005
位错密度(EPD)/cm2-                          ≤300
激光打标
按客户要求定制
成品厚度*um(175-500)±25
TTV平整度μm≤15≤15
翘曲度um≤25                            ≤25
主面/背面Sidel抛光
抛光
Side2腐蚀/Grinding
腐蚀/Grinding

开盒即用
包装单片盒或多片盒


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